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MT29F8G08FACWP:C TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC FLASH 8GBIT 48TSOP; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：闪存; 存储器类型：闪存 - NAND; 存储容量：8G（1G x 8）; 速度：-; 接口：并联; 电压_电源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）; 供应商器件封装：48-TSOP I; 包装：带卷 (TR)

MT29F8G08FACWP:C TR供应商

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MT5VDDT3272HY-335F2
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
MCR18EZHF2102
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 21.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR03EZPJ390
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 39 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D
存储器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA
MX25U4035ZNI-25G
存储器 Macronix 8-WDFN 裸露焊盘 IC FLASH SER 4MB 40MHZ 8WSON
HF50ACC322513-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1210（3225 公制） FERRITE CHIP 60 OHM 1.5A 1210
OMNISMART1050
UPS系统 Tripp Lite 3-SIP UPS 1050VA 705W 6OUT W/SOFTWARE
MVA6.3VC222MK14TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% SMD
MCR18EZHF2103
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 210K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR03EZPJ394
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 390K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MX25U6435EZNI-10G
存储器 Macronix 8-WDFN 裸露焊盘 IC FLASH MEM 64MB 104MHZ 8WSON
HF50ACC575032-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 2220（5750 公制） FERRITE CHIP 400 OHM 3.0A 2220
OMR-112H,V000
信号，高达 2 A TE Connectivity 3-SIP RELAY REED SPST 500MA 12V
MVA6.3VC33RMD55TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 6.3V 20% SMD
MCR18EZHF2104
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 2.10M OHM 1/4W 1% 1206 SMD